Sebelum mengetahui tentang photon detector, lebih baik baca artikel berikut ini. Photon detector sebenarnya merupakan bagian dari photodetektor yang telah dikenal selama ini. Gambar photon detectornya dapat dilihat pada Gambar 1.
Gambar 1. Photon Detector
Berdasarkan tipenya, photodetektor dapat dibagi menjadi 2(dua): (1) Thermal detector ;(2) Photon detector. Thermal detector mendeteksi cahaya dengan memanfaatkan kenaikan suhu ketika energi cahaya diserap oleh permukaannya. Dengan prinsip kerja tersebut, divais ini biasanya digunakan untuk detector cahaya dengan panjang gelombang far-infrared.
Sedangkan photon detector mendeteksi cahaya berdasarkan pada prinsip quantum photoelectric effect. Prinsip quantum photoelectric effect yaitu photon meng-eksitasi carrier sehingga menghasilkan photocurrent. Photoelectric effect didasarkan pada energi photon hv, dengan mengacu pada panjang gelombang λ yang berkaitan dengan energi transisi ∆E.
Untuk membuat photon dapat meng-eksitasi carrier, energi photon harus lebih besar dari energi transisi (hv > ∆E).
Pada divais semikonduktor, energi transisi ∆E merupakan gap energi dari semikonduktor. Sehingga untuk memanipulasi photodetektor tersebut dapat dilakukan dengan memanipulasi energi gap dari semikonduktor: dengan memilih material semikonduktor dengan energi gap tertentu.
Sebenarnya telah banyak divais di dunia ini yang memanfaatkan prinsip heterostructure untuk membuat berbagai macam alat elektronik, mulai dari transistor sampai dengan solar cell. Kemudian timbul pertanyaan, apasih sebenarnya heterostructure itu. Heterostructure merupakan gabungan dari 2 atau lebih bahan semikonduktor yang berbeda. Penggunaan bahan yang berbeda ini, ada kaitannya dengan perbedaan Energi Band Gap dari masing-masing bahan. Perbedaan inilah yang nantinya bisa digunakan untuk merekayasa suatu divais.
Sebagai contoh dari heterostructure yaitu aplikasi optoelektronik. Sebuah material semikonduktor berbahan AlGaAs digunakan sebagai cladding (layer terluar) dan bahan semikonduktor yang lain berbahan GaAs digunakan sebagai layer dalam. Biasanya layer bagian dalam (bahan GaAs) memiliki energy band gap yang lebih kecil. Dengan energy band gap yang kecil, electron akan mudah terperangkap ditengah, kemudian kejadian ini dimanfaatkan untuk membuat electron berekombinasi dan terciptalah photon. Contoh diatas merupakan contoh dari simple heterojuntion.
Gambar 1. Energy Band Heterostructure
Untuk postingan kali ini, mungkin hanya penjelasannya saja. InsyaAllah, untuk postingan selanjutnya yang berkaitan dengan heterojunction terutama tentang bagaimana cara menggambar energy band diagram dari heterostructure baik itu abrupt heterostructure atau graded heterostructure seperti terlihat pada Gambar 1. Tunggu tanggal mainnya..